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MJD122T4G
Transistor Darlington, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pines
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJD122T4G
No. Parte Newark
Hilado completo31Y2620
Cinta adhesiva10N9469
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Hoja de datos técnicos
2,684 En Inventario
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Opciones de embalaje
Cinta adhesiva
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.25 |
| 10+ | $1.04 |
| 25+ | $0.94 |
| 50+ | $0.85 |
| 100+ | $0.75 |
| 250+ | $0.67 |
| 500+ | $0.56 |
| 1000+ | $0.54 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $0.49 |
| 5000+ | $0.47 |
| 10000+ | $0.46 |
| 15000+ | $0.45 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJD122T4G
No. Parte Newark
Hilado completo31Y2620
Cinta adhesiva10N9469
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor100V
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo100
Disipación de Potencia Pd20
Corriente del Colector Continua8A
Frecuencia de Transición4MHz
Corriente de Colector DC8
Disipación de Potencia20W
Encapsulado de Transistor RFTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
No. de Pines3Pines
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Ganancia de Corriente DC hFE1000
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.1000hFE
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Alternativas para el número de pieza MJD122T4G
2 productos encontrados
Resumen del producto
El MJD122T4G es un transistor Darlington de potencia bipolar 8A NPN diseñado para amplificador de propósito general y aplicaciones de conmutación de baja velocidad. Es el reemplazo de montaje en superficie para las series 2N6040 a 2N6045, series TIP120 a TIP122 y series TIP125 a TIP127.
- Punta formada para aplicaciones de montaje en superficie en mangas de plástico
- Construcción monolítica con resistencias de derivación base-emisor incorporadas
- Los pares complementarios simplifican los diseños.
- Calificado para AEC-Q101 y capacidad para PPAP
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
100
Corriente del Colector Continua
8A
Corriente de Colector DC
8
Encapsulado de Transistor RF
TO-252 (DPAK)
No. de Pines
3Pines
Ganancia de Corriente DC hFE
1000
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Voltaje Máx. Colector a Emisor
100V
Disipación de Potencia Pd
20
Frecuencia de Transición
4MHz
Disipación de Potencia
20W
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
1000hFE
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
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RoHS
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