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HUF75545P3
MOSFET Transistor, N Channel, 75 A, 80 V, 10 mohm, 10 V, 4 V RoHS Compliant: Yes
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| Cantidad | Precio |
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| 10+ | $3.660 |
| 25+ | $3.050 |
| 50+ | $2.430 |
| 100+ | $2.260 |
| 250+ | $2.100 |
| 500+ | $1.940 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteHUF75545P3
No. Parte Newark61M6633
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80V
Intensidad Drenador Continua Id75A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.01ohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia270W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
75A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.01ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
270W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza HUF75545P3
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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