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HUF75329D3ST
MOSFET de Potencia, Canal N, 55 V, 20 A, 0.026 ohm, TO-252AA, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteHUF75329D3ST
No. Parte Newark81R3933
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 8 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 50+ | $0.975 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 2500
Múltiple: 2500
$2,437.50
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteHUF75329D3ST
No. Parte Newark81R3933
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds55
Intensidad Drenador Continua Id20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.026
Resistencia de Activación Rds(on)0.026ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd128W
Diseño de TransistorTO-252AA
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia128
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
55
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.026
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
128W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
20
Resistencia de Activación Rds(on)
0.026ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
TO-252AA
Disipación de Potencia
128
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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Certificado de conformidad del producto