Imprimir página
HGTG20N60B3..
IGBT Single Transistor, 40 A, 2 V, 165 W, 600 V, TO-247, 3 RoHS Compliant: Yes
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteHGTG20N60B3..
No. Parte Newark87X8811
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
No está disponible
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteHGTG20N60B3..
No. Parte Newark87X8811
Hoja de datos técnicos
Corriente del Colector Continua40A
Voltaje de Saturación Colector Emisor2V
Disipación de Potencia165W
Voltaje Máx. Colector a Emisor600V
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Montaje de TransistorThrough Hole
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (19-Jan-2021)
Especificaciones técnicas
Corriente del Colector Continua
40A
Disipación de Potencia
165W
Diseño de Transistor
TO-247
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (19-Jan-2021)
Voltaje de Saturación Colector Emisor
2V
Voltaje Máx. Colector a Emisor
600V
No. de Pines
3Pines
Montaje de Transistor
Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (19-Jan-2021)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto