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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFSBB30CH60
No. Parte Newark43K6934
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Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFSBB30CH60
No. Parte Newark43K6934
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTInversor trifásico
Transistor, PolaridadCanal N
Corriente de Colector DC30A
Corriente del Colector Continua30A
Voltaje de Saturación Colector Emisor2.75V
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)600V
Disipación de Potencia Pd103W
Disipación de Potencia103W
Temperatura de Union, Tj Máx.150°C
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo600V
Diseño de TransistorModule
No. de Pines27Pines
Terminación del IGBTSoldar
Tecnología IGBT-
Voltaje Máx. Colector a Emisor600V
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Inversor trifásico
Corriente de Colector DC
30A
Voltaje de Saturación Colector Emisor
2.75V
Disipación de Potencia Pd
103W
Temperatura de Union, Tj Máx.
150°C
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
600V
No. de Pines
27Pines
Tecnología IGBT
-
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jan-2018)
Transistor, Polaridad
Canal N
Corriente del Colector Continua
30A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
600V
Disipación de Potencia
103W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Diseño de Transistor
Module
Terminación del IGBT
Soldar
Voltaje Máx. Colector a Emisor
600V
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jan-2018)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto