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FQD7P06TM
MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 5.4 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFQD7P06TM
No. Parte Newark46AC0860
Rango de ProductoQFET
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id5.4
Resistencia de Activación Rds(on)0.36ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.36
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd28W
Voltaje de Prueba Rds(on)-10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente-4
Disipación de Potencia28
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoQFET
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia de Activación Rds(on)
0.36ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Disipación de Potencia Pd
28W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
-4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
QFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
5.4
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.36
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
-10
Disipación de Potencia
28
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jan-2018)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jan-2018)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto