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FQD13N10LTM
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 10 A, 0.18 ohm, TO-252AA, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFQD13N10LTM
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)31Y1523
Cinta adhesiva31Y1523
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6,415 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $1.210 | $6.05 |
| Total Precio | $6.05 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.210 |
| 10+ | $0.793 |
| 25+ | $0.713 |
| 50+ | $0.633 |
| 100+ | $0.553 |
| 250+ | $0.502 |
| 500+ | $0.450 |
| 1000+ | $0.417 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFQD13N10LTM
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)31Y1523
Cinta adhesiva31Y1523
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id10
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.18
Resistencia de Activación Rds(on)0.142ohm
Diseño de TransistorTO-252AA
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd40W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Disipación de Potencia40
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El FQD13N10LTM es un MOSFET de potencia de canal N en modo de mejora QFET® que se produce utilizando la banda plana y la tecnología DMOS. Esta avanzada tecnología MOSFET se ha diseñado especialmente para reducir la resistencia en estado ENCENDIDO y para proporcionar un rendimiento de conmutación superior y una alta potencia energética de avalancha. Es adecuado para fuentes de alimentación de modo conmutado, amplificador de audio y aplicaciones de potencia de conmutación variable.
- Requisitos de accionamiento de compuerta de bajo nivel que permiten el funcionamiento directo desde controladores lógicos
- Probado avalancha 100%
- Carga de puerta baja típica de 8.7nC
- Cruce bajo típico 20pF
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.18
Diseño de Transistor
TO-252AA
Disipación de Potencia Pd
40W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
10
Resistencia de Activación Rds(on)
0.142ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
40
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza FQD13N10LTM
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto