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FGY75N60SMD
IGBT Single Transistor, 150 A, 1.9 V, 750 W, 600 V, Power 247, 3 RoHS Compliant: Yes
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFGY75N60SMD
No. Parte Newark88T3388
Hoja de datos técnicos
Corriente del Colector Continua150A
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.9V
Disipación de Potencia750W
Voltaje Máx. Colector a Emisor600V
Diseño de TransistorPower 247
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Montaje de TransistorThrough Hole
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (19-Jan-2021)
Especificaciones técnicas
Corriente del Colector Continua
150A
Disipación de Potencia
750W
Diseño de Transistor
Power 247
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (19-Jan-2021)
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.9V
Voltaje Máx. Colector a Emisor
600V
No. de Pines
3Pines
Montaje de Transistor
Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (19-Jan-2021)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto