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FDS8858CZ
Dual MOSFET, N and P Channel, 8.6 A, 30 V, 17 mohm, 10 V, 1.6 V RoHS Compliant: Yes
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDS8858CZ
No. Parte Newark
Hilado completo50M7662
Re-reeling (Rollos a medida)61M6333
Cinta adhesiva61M6333
Su número de pieza
10,781 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $1.520 | $7.60 |
| Total Precio | $7.60 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.520 |
| 10+ | $0.966 |
| 25+ | $0.858 |
| 50+ | $0.750 |
| 100+ | $0.642 |
| 250+ | $0.573 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $0.545 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDS8858CZ
No. Parte Newark
Hilado completo50M7662
Re-reeling (Rollos a medida)61M6333
Cinta adhesiva61M6333
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalComplementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N8.6
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P8.6
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.017
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.017
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N2
Disipación de Potencia de Canal P2
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Complementary N and P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
8.6
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.017
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
2
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
8.6
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.017
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
2
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FDS8858CZ
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto