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FDS6975
MOSFET Dual, Canal P, 30 V, 6 A
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Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 15 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1000+ | $0.858 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 2500
Múltiple: 2500
$2,145.00
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDS6975
No. Parte Newark38C7178
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Intensidad Drenador Continua Id6A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P6
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.025
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N-
Disipación de Potencia de Canal P2
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El FDS6975 es un MOSFET de nivel lógico de doble canal P producido mediante el avanzado proceso PowerTrench®. Se ha diseñado especialmente para minimizar la resistencia en estado ENCENDIDO y, a la vez, mantener una carga baja en la puerta para un rendimiento de conmutación superior. Es muy adecuado para aplicaciones de computadoras portátiles con conmutación de carga, circuitos de carga de baterías y conversión de CD a CD.
- Baja carga de compuerta
- Tecnología de zanja de alto rendimiento para RDS extremadamente bajo (ON)
- Alta potencia y capacidad de manejo de corriente.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
-
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
6
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.025
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
2
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Intensidad Drenador Continua Id
6A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
-
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
-
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza FDS6975
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
