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FDS6875
MOSFET Dual, Canal P, 20 V, 6 A
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDS6875
No. Parte Newark66K6764
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 2 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.879 |
| 3000+ | $0.852 |
| 6000+ | $0.793 |
| 12000+ | $0.735 |
| 18000+ | $0.715 |
| 30000+ | $0.703 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 2500
Múltiple: 2500
$2,197.50
nota de línea
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDS6875
No. Parte Newark66K6764
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Intensidad Drenador Continua Id6A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P6
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.024
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N-
Disipación de Potencia de Canal P2
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El FDS6875 es un MOSFET de doble canal P producido mediante el proceso avanzado PowerTrench™. Se ha diseñado especialmente para minimizar la resistencia en estado ENCENDIDO y, a la vez, mantener una carga baja en la puerta para un rendimiento de conmutación superior. Estos dispositivos son muy adecuados para dispositivos electrónicos portátiles como conmutación de carga, carga de baterías y aplicaciones de circuitos de protección.
- Baja carga de compuerta
- Tecnología de zanja de alto rendimiento para RDS extremadamente bajo (ON)
- Alta potencia y capacidad de manejo de corriente.
- Voltaje de compuerta a fuente de ±8V
- Corriente de drenaje continua -6A
- Corriente de drenaje pulsada -20A
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
-
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
6
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.024
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
2
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Intensidad Drenador Continua Id
6A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
-
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
-
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto