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FDMS2572
MOSFET Transistor, N Channel, 27 A, 150 V, 0.036 ohm, 10 V, 3 V RoHS Compliant: Yes
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2,135 En Inventario
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.650 |
| 10+ | $1.390 |
| 25+ | $1.340 |
| 50+ | $1.290 |
| 100+ | $1.240 |
| 250+ | $1.240 |
| 500+ | $1.230 |
| 1000+ | $1.220 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDMS2572
No. Parte Newark88T3302
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds150V
Intensidad Drenador Continua Id27A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.036ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorPower 56
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia78W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
150V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.036ohm
Diseño de Transistor
Power 56
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
27A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
78W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza FDMS2572
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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