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FDMQ86530L
MOSFET, N-CH, 60V, 8A, WDFN-12
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| 10+ | $2.700 |
| 25+ | $2.440 |
| 50+ | $2.180 |
| 100+ | $1.920 |
| 250+ | $1.850 |
| 500+ | $1.770 |
| 1000+ | $1.740 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDMQ86530L
No. Parte Newark46AC0789
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalQuad N Channel
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N60V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N8A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P8A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.0175ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorWDFN
No. de Pines12Pines
Disipación de Potencia de Canal N1.9W
Disipación de Potencia de Canal P1.9W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Quad N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
60V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
8A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
12Pines
Disipación de Potencia de Canal P
1.9W
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Intensidad Drenador Continua Id
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
8A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.0175ohm
Diseño de Transistor
WDFN
Disipación de Potencia de Canal N
1.9W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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