Imprimir página
FDMC7572S
MOSFET de Potencia, Canal N, 25 V, 40 A, 0.0025 ohm, Power 33, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 18 semanas
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDMC7572S
No. Parte Newark85W3144
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds25
Intensidad Drenador Continua Id40
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0025
Resistencia de Activación Rds(on)0.0025ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd52W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.7
Diseño de TransistorPower 33
Disipación de Potencia52
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
25
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0025
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
52W
Diseño de Transistor
Power 33
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
40
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0025ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.7
Disipación de Potencia
52
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (3)
Productos relacionados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
