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FDMC2523P
MOSFET de Potencia, Canal P, 150 V, 3 A, 1.5 ohm, Power 33, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDMC2523P
No. Parte Newark34M6114
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Hoja de datos técnicos
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1478 Entrega en 2-4 días hábiles(UK inventario)
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.370 |
| 10+ | $1.220 |
| 25+ | $1.090 |
| 50+ | $0.963 |
| 100+ | $0.832 |
| 250+ | $0.748 |
| 500+ | $0.664 |
| 1000+ | $0.646 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDMC2523P
No. Parte Newark34M6114
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds150
Intensidad Drenador Continua Id3
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.5
Diseño de TransistorPower 33
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.8
Disipación de Potencia42
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
150
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
Power 33
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.8
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
3
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.5
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
42
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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