Imprimir página
FDD8770
MOSFET de Potencia, Canal N, 25 V, 35 A, 0.004 ohm, TO-252AA, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDD8770
No. Parte Newark67P3471
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
No está disponible
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDD8770
No. Parte Newark67P3471
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds25
Intensidad Drenador Continua Id35
Resistencia de Activación Rds(on)0.0048ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.004
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)20
Disipación de Potencia Pd115W
Diseño de TransistorTO-252AA
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.6
Disipación de Potencia115
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
25
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0048ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
115W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.6
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
35
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.004
Voltaje de Prueba Rds(on)
20
Diseño de Transistor
TO-252AA
Disipación de Potencia
115
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto