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FDC638APZ
MOSFET Transistor, P Channel, 4.5 A, -20 V, 0.037 ohm, 12 V, -800 mV RoHS Compliant: Yes
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27,811 En Inventario
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.810 |
| 10+ | $0.551 |
| 25+ | $0.487 |
| 50+ | $0.422 |
| 100+ | $0.358 |
| 250+ | $0.316 |
| 500+ | $0.274 |
| 1000+ | $0.244 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDC638APZ
No. Parte Newark61M6208
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id4.5A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.043ohm
Diseño de TransistorSuperSOT
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)12V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente800mV
Disipación de Potencia1.6W
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SuperSOT
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
800mV
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
4.5A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.043ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
12V
Disipación de Potencia
1.6W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FDC638APZ
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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