Imprimir página
FDC6301N..
MOSFET Dual, Canal N, 25 V, 220 mA, 5 ohm
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDC6301N..
No. Parte Newark47T5014
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 22 semanas
Opciones de embalaje
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.618 |
| 10+ | $0.379 |
| 25+ | $0.333 |
| 50+ | $0.287 |
| 100+ | $0.241 |
| 250+ | $0.212 |
| 500+ | $0.182 |
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDC6301N..
No. Parte Newark47T5014
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N25
Intensidad Drenador Continua Id220mA
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds25V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N220
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente5
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorSuperSOT
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N900
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El FDC6301N es un FET de modo de mejora de nivel lógico de canal N dual con alta densidad celular y tecnología DMOS. Su proceso de muy alta densidad está especialmente diseñado para minimizar la resistencia en estado ON. Ha sido diseñado especialmente para aplicaciones de bajo voltaje como reemplazo de transistores digitales. Dado que no se requieren resistencias de polarización, estos FET de canal N pueden reemplazar varios transistores digitales, con una variedad de resistencias de polarización.
- Requisitos de unidad de compuerta de muy bajo nivel que permiten la operación directa en circuitos de 3V
- Compuerta-fuente Zener para robustez ESD
- Voltaje de puerta a fuente -0.5 a 8V
- Corriente continua de drenaje/salida 0.22A
- Corriente de salida/drenaje pulsada de 0.5A
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
220mA
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
25V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
25
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
220
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
5
Diseño de Transistor
SuperSOT
Disipación de Potencia de Canal N
900
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza FDC6301N..
1 producto (s) encontrado (s)
Productos relacionados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto