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FDC3535
MOSFET Transistor, P Channel, -2.1 A, -80 V, 0.147 ohm, -10 V, -1.6 V RoHS Compliant: Yes
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDC3535Copiar
No. Parte Newark95W3153
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80V
Intensidad Drenador Continua Id2.1A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.147ohm
Diseño de TransistorSuperSOT
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.6V
Disipación de Potencia1.6W
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2022)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
2.1A
Diseño de Transistor
SuperSOT
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
1.6W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2022)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.147ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.6V
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2022)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
