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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDB8447L
No. Parte Newark67P3454
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Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDB8447L
No. Parte Newark67P3454
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40
Intensidad Drenador Continua Id50
Resistencia de Activación Rds(on)0.0085ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0085
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)20
Disipación de Potencia Pd3.1W
Diseño de TransistorTO-263AB
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.9
Disipación de Potencia3.1
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
El FDB8447L es un MOSFET de canal N producido con la tecnología PowerTrench® para ofrecer un RDS bajo (ON) y una capacidad BVDSS optimizada para ofrecer un beneficio de rendimiento superior en la aplicación.
- Conmutación rápida
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0085ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
3.1W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.9
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
50
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0085
Voltaje de Prueba Rds(on)
20
Diseño de Transistor
TO-263AB
Disipación de Potencia
3.1
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto