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FDA24N40F
MOSFET Transistor, N Channel, 23 A, 400 V, 0.15 ohm, 10 V, 3 V RoHS Compliant: Yes
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDA24N40F
No. Parte Newark95W3147
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDA24N40F
No. Parte Newark95W3147
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds400V
Intensidad Drenador Continua Id23A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.15ohm
Diseño de TransistorTO-3PN
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia235W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza FDA24N40F
1 producto (s) encontrado (s)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
400V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-3PN
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
23A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.15ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
235W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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