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BSV52LT1G
Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 12 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteBSV52LT1G
No. Parte Newark41K9627
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 45 semanas
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 6000+ | $0.069 |
| 12000+ | $0.066 |
| 18000+ | $0.062 |
| 30000+ | $0.058 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteBSV52LT1G
No. Parte Newark41K9627
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo12V
Voltaje Máx. Colector a Emisor12
Corriente del Colector Continua100
Disipación de Potencia225
Disipación de Potencia Pd225mW
Corriente de Colector DC100mA
Ganancia de Corriente DC hFE40hFE
Montaje de TransistorMontaje Superficial
No. de Pines3Pines
Diseño de TransistorSOT-23
Frecuencia de Transición400
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.40
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
12
Disipación de Potencia
225
Corriente de Colector DC
100mA
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Diseño de Transistor
SOT-23
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
40
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
12V
Corriente del Colector Continua
100
Disipación de Potencia Pd
225mW
Ganancia de Corriente DC hFE
40hFE
No. de Pines
3Pines
Frecuencia de Transición
400
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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