Imprimir página
BD435G
Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 32 V, 4 A, 36 W, TO-225, Agujero Pasante
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
No está disponible
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteBD435G
No. Parte Newark26K3509
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo32V
Voltaje Máx. Colector a Emisor32
Corriente del Colector Continua4
Disipación de Potencia Pd36W
Disipación de Potencia36
Corriente de Colector DC4A
Ganancia de Corriente DC hFE85hFE
Montaje de TransistorAgujero Pasante
No. de Pines3Pines
Diseño de TransistorTO-225
Frecuencia de Transición3
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.85
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (19-Jan-2021)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
32
Disipación de Potencia Pd
36W
Corriente de Colector DC
4A
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Diseño de Transistor
TO-225
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
85
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
32V
Corriente del Colector Continua
4
Disipación de Potencia
36
Ganancia de Corriente DC hFE
85hFE
No. de Pines
3Pines
Frecuencia de Transición
3
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (19-Jan-2021)
Documentos técnicos (4)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (19-Jan-2021)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto