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BC639RL1G
Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 80 V, 1 A, 625 mW, TO-92, Agujero Pasante
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteBC639RL1G
No. Parte Newark85W3110
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Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteBC639RL1G
No. Parte Newark85W3110
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo80V
Voltaje Máx. Colector a Emisor80
Corriente del Colector Continua1
Disipación de Potencia625
Disipación de Potencia Pd625mW
Corriente de Colector DC1A
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Ganancia de Corriente DC hFE40hFE
Diseño de TransistorTO-92
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición200
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.40
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
80
Disipación de Potencia
625
Corriente de Colector DC
1A
Ganancia de Corriente DC hFE
40hFE
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
40
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
80V
Corriente del Colector Continua
1
Disipación de Potencia Pd
625mW
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Diseño de Transistor
TO-92
Frecuencia de Transición
200
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto