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BBS3002-DL-1E
MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 100 A, 0.0044 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteBBS3002-DL-1E
No. Parte Newark42AC1708
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Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteBBS3002-DL-1E
No. Parte Newark42AC1708
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id100
Resistencia de Activación Rds(on)0.0044ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0044
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente-
Disipación de Potencia Pd90W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia90
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0044ohm
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
-
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0044
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
90W
Disipación de Potencia
90
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
WARNINGProposition 65