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BAV70TT1G
Bipolar (BJT) Array Transistor, Common Cathode, 70 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA RoHS Compliant: Yes
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteBAV70TT1G
No. Parte Newark90W4251
Rango de ProductoBAV70
Hoja de datos técnicos
Configuración de DiodoDual Common Cathode
Voltaje Reverso Pico Repetitivo70V
Corriente Directa Promedio200mA
Voltaje Directo Máx.1.25V
Tiempo de Recuperación Inversa6ns
Corriente de Sobretensión Directa500mA
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Estilo de la Carcasa del DiodoSOT-416
No. de Pines3Pines
Montaje del DiodoSurface Mount
Rango de ProductoBAV70
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Alternativas para el número de pieza BAV70TT1G
1 producto (s) encontrado (s)
Especificaciones técnicas
Configuración de Diodo
Dual Common Cathode
Corriente Directa Promedio
200mA
Tiempo de Recuperación Inversa
6ns
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
BAV70
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Voltaje Reverso Pico Repetitivo
70V
Voltaje Directo Máx.
1.25V
Corriente de Sobretensión Directa
500mA
Estilo de la Carcasa del Diodo
SOT-416
Montaje del Diodo
Surface Mount
Calificación
AEC-Q101
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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