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ATP114-TL-H
MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 55 A, 0.016 ohm, ATPAK, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteATP114-TL-H
No. Parte Newark42AC1705
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteATP114-TL-H
No. Parte Newark42AC1705
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id55
Resistencia de Activación Rds(on)0.012ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.016
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente-
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd60W
Diseño de TransistorATPAK
Disipación de Potencia60
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia de Activación Rds(on)
0.012ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
ATPAK
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
55
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.016
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
-
Disipación de Potencia Pd
60W
Disipación de Potencia
60
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto