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2N7002WT1G
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 340 mA, 1.6 ohm, SC-70, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte Fabricante2N7002WT1GCopiar
No. Parte Newark
Hilado completo83AK7303
Re-reeling (Rollos a medida)09R9865
Cinta adhesiva09R9865
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.214 | $0.21 |
| Total Precio | $0.21 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.214 |
| 25+ | $0.168 |
| 50+ | $0.105 |
| 100+ | $0.087 |
| 250+ | $0.074 |
| 500+ | $0.061 |
| 1000+ | $0.050 |
| 2500+ | $0.047 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.037 |
| 6000+ | $0.034 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte Fabricante2N7002WT1GCopiar
No. Parte Newark
Hilado completo83AK7303
Re-reeling (Rollos a medida)09R9865
Cinta adhesiva09R9865
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id340mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.6ohm
Resistencia de Activación Rds(on)1.6ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd330mW
Diseño de TransistorSC-70
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1V
Disipación de Potencia330mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El 2N7002WT1G es un MOSFET de potencia de señal pequeña de canal N ideal para aplicaciones de baja potencia. Ofrece un voltaje de fuente de drenaje de 60V y una corriente de drenaje continua de 310mA. Es adecuado para el interruptor de carga lateral baja, los circuitos de cambio de nivel, el convertidor de CD a CD, las aplicaciones DSC y PDA.
- Bajo RDS (ENCENDIDO)
- Paquete de montaje en superficie de tamaño reducido
- Libre de halógenos
- Protegido contra ESD
- Rango de temperatura de unión de operación entre -55 y 150°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.6ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
330mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1V
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
340mA
Resistencia de Activación Rds(on)
1.6ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Diseño de Transistor
SC-70
Disipación de Potencia
330mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza 2N7002WT1G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto