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PSMN7R0-30MLC,115
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 67 A, 0.00605 ohm, SOT-1210, Montaje Superficial
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FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePSMN7R0-30MLC,115
No. Parte Newark05W5735
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePSMN7R0-30MLC,115
No. Parte Newark05W5735
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id67
Resistencia de Activación Rds(on)0.00605ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.00605
Diseño de TransistorSOT-1210
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd57W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.75
Disipación de Potencia57
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
67
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.00605
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
57W
Disipación de Potencia
57
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia de Activación Rds(on)
0.00605ohm
Diseño de Transistor
SOT-1210
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.75
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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