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PSMN5R5-60YS,115
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 100 A, 0.0052 ohm, SOT-669, Montaje Superficial
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FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePSMN5R5-60YS,115
No. Parte Newark63R8569
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Hoja de datos técnicos
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1359 Entrega en 2-4 días hábiles(UK inventario)
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.710 |
| 10+ | $2.360 |
| 25+ | $2.120 |
| 50+ | $1.860 |
| 100+ | $1.610 |
| 250+ | $1.440 |
| 500+ | $1.280 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1500+ | $1.580 |
| 3000+ | $1.530 |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePSMN5R5-60YS,115
No. Parte Newark63R8569
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id100
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0052
Diseño de TransistorSOT-669
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia130
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Resumen del producto
PSMN5R5-60YS,115 is a standard level N-channel MOSFET. This product is designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic equipment. Application includes DC-to-DC converters, Lithium-ion battery protection, load switching, motor control, server power supplies.
- Advanced TrenchMOS provides low RDSon and low gate charge
- High efficiency in switching power converters
- Improved mechanical and thermal characteristics
- LFPAK provides maximum power density in a Power SO8 package
- Drain source voltage is 60V maximum (Tj ≥ 25°C; Tj ≤ 175°C)
- Drain current is 100A maximum (Tmb = 25°C)
- 0.0036ohm drain source on state resistance
- Total power dissipation is 130W maximum (Tmb = 25°C)
- Total gate charge is 56nC typical (ID = 75A, VDS = 30V, VGS = 10V)
- 4 lead SOT-669 package, junction temperature range from -55 to 175°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SOT-669
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0052
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
130
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza PSMN5R5-60YS,115
6 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto