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PSMN3R0-30YLDX
MOSFET, N-CH, 30V, 100A, POWERSO
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FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePSMN3R0-30YLDX
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6013
Re-reeling (Rollos a medida)61X9878
Cinta adhesiva61X9878
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
2 En Inventario
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0 Entrega en 2-4 días hábiles(UK inventario)
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Disponible en la cantidad indicada
Opciones de embalaje
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.73 |
| 10+ | $1.75 |
| 25+ | $1.55 |
| 50+ | $1.34 |
| 100+ | $1.15 |
| 250+ | $1.03 |
| 500+ | $0.92 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1500+ | $0.85 |
| 3000+ | $0.82 |
| 6000+ | $0.79 |
| 9000+ | $0.75 |
| 15000+ | $0.75 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePSMN3R0-30YLDX
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6013
Re-reeling (Rollos a medida)61X9878
Cinta adhesiva61X9878
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id100A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3100µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorPowerSO
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.7V
Disipación de Potencia91W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza PSMN3R0-30YLDX
1 producto (s) encontrado (s)
Resumen del producto
The PSMN3R0-30YLD is a N-channel enhancement-mode logic level gate drive MOSFET optimised for 4.5V gate drive. NextPowerS3 portfolio utilising NXP's unique SchottkyPlus technology delivers high efficiency, low spiking performance usually associated with MOSFETs with an integrated Schottky or Schottky-like diode but without problematic high leakage current. NextPowerS3 is particularly suited to high efficiency applications at high switching frequencies.
- Ultra-low QG, QGD and QOSS for high system efficiency, especially at higher switching frequencies
- Superfast switching with soft-recovery (s-factor>1)
- Low spiking and ringing for low EMI designs
- Unique SchottkyPlus technology
- Schottky-like performance with <1µA leakage at 25°C
- Low parasitic inductance and resistance
- High reliability clip bonded and solder die attach power SO8 package
- No glue, no wire bonds, qualified to 175°C
- Wave solderable, exposed leads for optimal visual solder inspection
- -55 to 175°C Junction temperature range
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3100µohm
Diseño de Transistor
PowerSO
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.7V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
100A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
91W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto