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PBSS4032ND,115
Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 30 V, 3.5 A, 480 mW, SOT-457, Montaje Superficial
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FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePBSS4032ND,115
No. Parte Newark84R0210
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePBSS4032ND,115
No. Parte Newark84R0210
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo30V
Voltaje Máx. Colector a Emisor30V
Corriente del Colector Continua3.5A
Disipación de Potencia480mW
Disipación de Potencia Pd480mW
Corriente de Colector DC3.5A
Diseño de TransistorSOT-457
Montaje de TransistorSurface Mount
No. de Pines6Pines
Frecuencia de Transición135MHz
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.500hFE
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
30V
Disipación de Potencia
480mW
Corriente de Colector DC
3.5A
Montaje de Transistor
Surface Mount
Frecuencia de Transición
135MHz
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
30V
Corriente del Colector Continua
3.5A
Disipación de Potencia Pd
480mW
Diseño de Transistor
SOT-457
No. de Pines
6Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
500hFE
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificado de conformidad del producto