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MRFE6VP61K25HSR5
Transistor FET RF, 125 V, 100 mA, 1.333 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230S
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FabricanteNXP
No. Parte FabricanteMRFE6VP61K25HSR5
No. Parte Newark19T6332
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Hoja de datos técnicos
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 16 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $389.28 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 50
Múltiple: 50
$19,464.00
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Información del producto
FabricanteNXP
No. Parte FabricanteMRFE6VP61K25HSR5
No. Parte Newark19T6332
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds125V
Intensidad Drenador Continua Id100mA
Disipación de Potencia1.333kW
Disipación de Potencia Pd1.333kW
Frecuencia de Funcionamiento Mín.1.8MHz
Frecuencia de Funcionamiento Máx.600MHz
Diseño de TransistorNI-1230S
No. de Pines4Pines
Encapsulado de Transistor RFNI-1230S
Temperatura de Trabajo Máx.225°C
Tipo de CanalCanal N
Montaje de TransistorBrida
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
The MRFE6VP61K25HSR5 is a 125V N-channel wideband RF Power LDMOS Transistor featured with high ruggedness. This enhancement mode lateral MOSFET is designed for use in high VSWR industrial (including laser and plasma exciters), broadcast (analog and digital), aerospace and radio/land mobile applications. They are unmatched input and output designs allowing wide frequency range utilization, between 1.8 and 600MHz.
- Unmatched input and output allowing wide frequency range utilization
- Device can be used single-ended or in a push-pull configuration
- Qualified up to a maximum of 50VDD operation
- Characterized from 30 to 50V for extended power range
- Suitable for linear application with appropriate biasing
- Integrated ESD protection with greater negative gate-source voltage for improved class C operation
- Characterized with series equivalent large-signal impedance parameters
- 74.6% Typical efficiency
- 22.9dB Typical power gain (at 230MHz)
- -6/+10V Gate to Source voltage (VGS)
- LDMOS Die technology
- 0.159°C/W Thermal resistance
Advertencias
ESD sensitive device, take proper precaution while handling the device.
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
125V
Disipación de Potencia
1.333kW
Frecuencia de Funcionamiento Mín.
1.8MHz
Diseño de Transistor
NI-1230S
Encapsulado de Transistor RF
NI-1230S
Tipo de Canal
Canal N
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Intensidad Drenador Continua Id
100mA
Disipación de Potencia Pd
1.333kW
Frecuencia de Funcionamiento Máx.
600MHz
No. de Pines
4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.
225°C
Montaje de Transistor
Brida
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto