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MRF6VP11KHR6
Transistor FET RF, 110 V, 5 mA, 1 kW, 1.8 MHz, 150 MHz, NI-1230
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Información del producto
FabricanteNXP
No. Parte FabricanteMRF6VP11KHR6
No. Parte Newark89M2083
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds110
Intensidad Drenador Continua Id5
Disipación de Potencia1
Frecuencia de Funcionamiento Mín.1.8
Disipación de Potencia Pd1kW
Frecuencia de Funcionamiento Máx.150
Diseño de TransistorNI-1230
No. de Pines4Pines
Encapsulado de Transistor RFNI-1230
Temperatura de Trabajo Máx.150
Tipo de CanalCanal N
Montaje de TransistorBrida
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
110
Disipación de Potencia
1
Disipación de Potencia Pd
1kW
Diseño de Transistor
NI-1230
Encapsulado de Transistor RF
NI-1230
Tipo de Canal
Canal N
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Intensidad Drenador Continua Id
5
Frecuencia de Funcionamiento Mín.
1.8
Frecuencia de Funcionamiento Máx.
150
No. de Pines
4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Montaje de Transistor
Brida
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto