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BLT50,115
Transistor RF - Bipolar, NPN, 10 V, 470 MHz, 2 W, 500 mA, SOT-223
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Información del producto
FabricanteNXP
No. Parte FabricanteBLT50,115
No. Parte Newark85W3334
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor10
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo10V
Frecuencia de Transición470
Disipación de Potencia2
Disipación de Potencia Pd2W
Corriente del Colector Continua500
Corriente de Colector DC500mA
Ganancia de Corriente DC hFE25hFE
Diseño de TransistorSOT-223
Encapsulado de Transistor RFSOT-223
No. de Pines4Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.25
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
10V
Disipación de Potencia
2
Corriente del Colector Continua
500
Ganancia de Corriente DC hFE
25hFE
Encapsulado de Transistor RF
SOT-223
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
25
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Voltaje Máx. Colector a Emisor
10
Frecuencia de Transición
470
Disipación de Potencia Pd
2W
Corriente de Colector DC
500mA
Diseño de Transistor
SOT-223
No. de Pines
4Pines
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto