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BLF878,112
Transistor FET RF, 40 V, 1.4 A, 75 W, 470 MHz, 860 MHz, SOT-979A
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FabricanteNXP
No. Parte FabricanteBLF878,112
No. Parte Newark70R2882
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteNXP
No. Parte FabricanteBLF878,112
No. Parte Newark70R2882
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40
Intensidad Drenador Continua Id1.4
Disipación de Potencia75
Frecuencia de Funcionamiento Mín.470
Disipación de Potencia Pd75W
Frecuencia de Funcionamiento Máx.860
Diseño de TransistorSOT-979A
Encapsulado de Transistor RFSOT-979A
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.200
Tipo de CanalCanal N
Montaje de TransistorBrida
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40
Disipación de Potencia
75
Disipación de Potencia Pd
75W
Diseño de Transistor
SOT-979A
No. de Pines
4Pines
Tipo de Canal
Canal N
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Intensidad Drenador Continua Id
1.4
Frecuencia de Funcionamiento Mín.
470
Frecuencia de Funcionamiento Máx.
860
Encapsulado de Transistor RF
SOT-979A
Temperatura de Trabajo Máx.
200
Montaje de Transistor
Brida
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto