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BLF871,112
Transistor FET RF, 40 V, 500 mA, 24 W, 10 MHz, 1 GHz, SOT-467C
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FabricanteNXP
No. Parte FabricanteBLF871,112
No. Parte Newark70R2880
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Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 19 semanas
Información del producto
FabricanteNXP
No. Parte FabricanteBLF871,112
No. Parte Newark70R2880
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id500mA
Disipación de Potencia24W
Frecuencia de Funcionamiento Mín.10MHz
Disipación de Potencia Pd24W
Frecuencia de Funcionamiento Máx.1GHz
Diseño de TransistorSOT-467C
No. de Pines2Pines
Encapsulado de Transistor RFSOT-467C
Temperatura de Trabajo Máx.200°C
Tipo de CanalCanal N
Montaje de TransistorBrida
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Disipación de Potencia
24W
Disipación de Potencia Pd
24W
Diseño de Transistor
SOT-467C
Encapsulado de Transistor RF
SOT-467C
Tipo de Canal
Canal N
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Intensidad Drenador Continua Id
500mA
Frecuencia de Funcionamiento Mín.
10MHz
Frecuencia de Funcionamiento Máx.
1GHz
No. de Pines
2Pines
Temperatura de Trabajo Máx.
200°C
Montaje de Transistor
Brida
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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