Imprimir página
BLF647,112
Transistor FET RF, 65 V, 18 A, 290 W, 600 MHz, SOT-540A
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteNXP
No. Parte FabricanteBLF647,112
No. Parte Newark70R2868
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
No está disponible
Información del producto
FabricanteNXP
No. Parte FabricanteBLF647,112
No. Parte Newark70R2868
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds65
Intensidad Drenador Continua Id18
Disipación de Potencia290
Disipación de Potencia Pd290W
Frecuencia de Funcionamiento Mín.-
Frecuencia de Funcionamiento Máx.600
Diseño de TransistorSOT-540A
No. de Pines5Pines
Encapsulado de Transistor RFSOT-540A
Temperatura de Trabajo Máx.200
Tipo de CanalCanal N
Montaje de TransistorBrida
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
65
Disipación de Potencia
290
Frecuencia de Funcionamiento Mín.
-
Diseño de Transistor
SOT-540A
Encapsulado de Transistor RF
SOT-540A
Tipo de Canal
Canal N
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Intensidad Drenador Continua Id
18
Disipación de Potencia Pd
290W
Frecuencia de Funcionamiento Máx.
600
No. de Pines
5Pines
Temperatura de Trabajo Máx.
200
Montaje de Transistor
Brida
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto