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BLF578
Transistor FET RF, Ldmos, 110 V, 88 A, 225 MHz, SOT-539A
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FabricanteNXP
No. Parte FabricanteBLF578
No. Parte Newark18T7202
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteNXP
No. Parte FabricanteBLF578
No. Parte Newark18T7202
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds110
Intensidad Drenador Continua Id88
Disipación de Potencia-
Frecuencia de Funcionamiento Mín.-
Disipación de Potencia Pd-
Frecuencia de Funcionamiento Máx.225
Diseño de TransistorSOT-539A
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.225
Tipo de CanalN Channel
Montaje de TransistorFlange
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2018)
Resumen del producto
The BLF578 is a 1200W LDMOS Power Transistor for broadcast and industrial applications in the HF to 500MHz band.
- Easy Power Control
- ESD Protection Upto 1.5kV
- Excellent Ruggedness
- High Efficiency
- Excellent Thermal Stability
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
110
Disipación de Potencia
-
Disipación de Potencia Pd
-
Diseño de Transistor
SOT-539A
Temperatura de Trabajo Máx.
225
Montaje de Transistor
Flange
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Intensidad Drenador Continua Id
88
Frecuencia de Funcionamiento Mín.
-
Frecuencia de Funcionamiento Máx.
225
No. de Pines
4Pines
Tipo de Canal
N Channel
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2018)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2018)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto