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BLF573
Transistor FET RF, Ldmos, 50 V, 42 A, 108 MHz, 225 MHz, SOT-502A
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FabricanteNXP
No. Parte FabricanteBLF573
No. Parte Newark18T7200
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteNXP
No. Parte FabricanteBLF573
No. Parte Newark18T7200
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds50
Intensidad Drenador Continua Id42
Disipación de Potencia-
Frecuencia de Funcionamiento Mín.108
Disipación de Potencia Pd-
Frecuencia de Funcionamiento Máx.225
Diseño de TransistorSOT-502A
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.225
Tipo de CanalN Channel
Montaje de TransistorFlange
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2018)
Alternativas para el número de pieza BLF573
1 producto (s) encontrado (s)
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
50
Disipación de Potencia
-
Disipación de Potencia Pd
-
Diseño de Transistor
SOT-502A
Temperatura de Trabajo Máx.
225
Montaje de Transistor
Flange
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Intensidad Drenador Continua Id
42
Frecuencia de Funcionamiento Mín.
108
Frecuencia de Funcionamiento Máx.
225
No. de Pines
3Pines
Tipo de Canal
N Channel
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2018)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2018)
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