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BLF242,112
Transistor FET RF, 28 V, 1 A, 16 W, 175 MHz, 230 MHz, SOT-123A
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FabricanteNXP
No. Parte FabricanteBLF242,112
No. Parte Newark70R2760
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteNXP
No. Parte FabricanteBLF242,112
No. Parte Newark70R2760
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds28
Intensidad Drenador Continua Id1
Disipación de Potencia16
Frecuencia de Funcionamiento Mín.175
Disipación de Potencia Pd16W
Frecuencia de Funcionamiento Máx.230
Diseño de TransistorSOT-123A
No. de Pines4Pines
Encapsulado de Transistor RFSOT-123A
Temperatura de Trabajo Máx.200
Tipo de CanalCanal N
Montaje de TransistorBrida
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
28
Disipación de Potencia
16
Disipación de Potencia Pd
16W
Diseño de Transistor
SOT-123A
Encapsulado de Transistor RF
SOT-123A
Tipo de Canal
Canal N
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Intensidad Drenador Continua Id
1
Frecuencia de Funcionamiento Mín.
175
Frecuencia de Funcionamiento Máx.
230
No. de Pines
4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.
200
Montaje de Transistor
Brida
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto