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BFT92W,115
Transistor RF - Bipolar, Banda Ancha, PNP, -15 V, 4 GHz, 300 mW, -35 mA, SOT-323
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Información del producto
FabricanteNXP
No. Parte FabricanteBFT92W,115
No. Parte Newark75R4663
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo-15V
Voltaje Máx. Colector a Emisor-15
Frecuencia de Transición4
Disipación de Potencia300
Disipación de Potencia Pd300mW
Corriente de Colector DC-35mA
Corriente del Colector Continua-35
Diseño de TransistorSOT-323
Ganancia de Corriente DC hFE50hFE
Encapsulado de Transistor RFSOT-323
No. de Pines3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.50
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2018)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor
-15
Disipación de Potencia
300
Corriente de Colector DC
-35mA
Diseño de Transistor
SOT-323
Encapsulado de Transistor RF
SOT-323
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
50
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2018)
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
-15V
Frecuencia de Transición
4
Disipación de Potencia Pd
300mW
Corriente del Colector Continua
-35
Ganancia de Corriente DC hFE
50hFE
No. de Pines
3Pines
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2018)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto