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BFG35,115
Transistor RF - Bipolar, Banda Ancha, NPN, 18 V, 4 GHz, 1 W, 150 mA, SOT-223
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FabricanteNXP
No. Parte FabricanteBFG35,115
No. Parte Newark70R2512
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Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteNXP
No. Parte FabricanteBFG35,115
No. Parte Newark70R2512
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo18V
Voltaje Máx. Colector a Emisor18
Frecuencia de Transición4
Disipación de Potencia1
Disipación de Potencia Pd1W
Corriente de Colector DC150mA
Corriente del Colector Continua150
Ganancia de Corriente DC hFE70hFE
Diseño de TransistorSOT-223
No. de Pines3Pines
Encapsulado de Transistor RFSOT-223
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.70
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jan-2019)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
18
Disipación de Potencia
1
Corriente de Colector DC
150mA
Ganancia de Corriente DC hFE
70hFE
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
70
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jan-2019)
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
18V
Frecuencia de Transición
4
Disipación de Potencia Pd
1W
Corriente del Colector Continua
150
Diseño de Transistor
SOT-223
Encapsulado de Transistor RF
SOT-223
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (4)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jan-2019)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto