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BFG31,115
Transistor RF - Bipolar, Banda Ancha, PNP, -15 V, 5 GHz, 1 W, -100 mA, SOT-223
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FabricanteNXP
No. Parte FabricanteBFG31,115
No. Parte Newark70R2507
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Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteNXP
No. Parte FabricanteBFG31,115
No. Parte Newark70R2507
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor-15
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo-15V
Frecuencia de Transición5
Disipación de Potencia1
Disipación de Potencia Pd1W
Corriente de Colector DC-100mA
Corriente del Colector Continua-100
Diseño de TransistorSOT-223
Ganancia de Corriente DC hFE25hFE
Encapsulado de Transistor RFSOT-223
No. de Pines3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.25
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
-15V
Disipación de Potencia
1
Corriente de Colector DC
-100mA
Diseño de Transistor
SOT-223
Encapsulado de Transistor RF
SOT-223
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
25
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Voltaje Máx. Colector a Emisor
-15
Frecuencia de Transición
5
Disipación de Potencia Pd
1W
Corriente del Colector Continua
-100
Ganancia de Corriente DC hFE
25hFE
No. de Pines
3Pines
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto