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PSMNR55-40SSHJ
MOSFET, N-CH, 40V, 500A, LFPAK88 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePSMNR55-40SSHJ
No. Parte Newark57AJ0320
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $14.080 |
| 10+ | $9.400 |
| 25+ | $8.740 |
| 50+ | $8.050 |
| 100+ | $6.760 |
| 250+ | $6.570 |
| 500+ | $6.360 |
| 1000+ | $6.160 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePSMNR55-40SSHJ
No. Parte Newark57AJ0320
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id500A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente470µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorLFPAK88
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia375W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
470µohm
Diseño de Transistor
LFPAK88
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
375W
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
500A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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