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PSMN4R3-30PL,127
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 100 A, 0.0043 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePSMN4R3-30PL,127Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark70R7968
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id100
Resistencia de Activación Rds(on)0.0043ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0043
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd103W
Diseño de TransistorTO-220AB
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.7
Disipación de Potencia103
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2018)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0043ohm
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Disipación de Potencia Pd
103W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.7
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0043
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
TO-220AB
Disipación de Potencia
103
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2018)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2018)
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