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PSMN4R1-60YLX
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 100 A, 0.0029 ohm, LFPAK56, Montaje Superficial
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FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePSMN4R1-60YLX
No. Parte Newark74AH1200
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.850 |
| 10+ | $2.470 |
| 25+ | $2.210 |
| 50+ | $1.940 |
| 100+ | $1.670 |
| 250+ | $1.510 |
| 500+ | $1.340 |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePSMN4R1-60YLX
No. Parte Newark74AH1200
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id100
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2900µohm
Diseño de TransistorLFPAK56
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.7
Disipación de Potencia238
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
LFPAK56
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
238
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2900µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.7
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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