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PSMN3R3-40YS,115
MOSFET,N CHANNEL,40V,100A,LFPAK
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FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePSMN3R3-40YS,115
No. Parte Newark13T9544
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.660 |
| 10+ | $1.930 |
| 25+ | $1.800 |
| 50+ | $1.680 |
| 100+ | $1.560 |
| 250+ | $1.490 |
| 500+ | $1.410 |
| 1000+ | $1.100 |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePSMN3R3-40YS,115
No. Parte Newark13T9544
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id100A
Resistencia de Activación Rds(on)0.0026ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2600µohm
Diseño de TransistorSOT-669
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd117W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia117W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El PSMN3R3-40YS es un MOSFET de nivel estándar de canal N con tecnología avanzada TrenchMOS que proporciona una baja carga RDS (ON) y baja carga. Está diseñado y calificado para su uso en una amplia gama de convertidores de CD a CD, protección de batería de iones de litio, conmutación de carga, fuentes de alimentación del servidor y aplicaciones de equipos domésticos.
- Características mecánicas y térmicas mejoradas.
- Ganancias de alta eficiencia en el cambio de convertidores de potencia
- LFPAK proporciona la máxima densidad de potencia en un paquete SO8 de potencia
- Rango de temperatura de unión entre -55 y 175°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
100A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2600µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
117W
Disipación de Potencia
117W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0026ohm
Diseño de Transistor
SOT-669
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza PSMN3R3-40YS,115
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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