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PSMN3R2-40YLDX
MOSFET, N-CH, 40V, 120A, 175DEG C, 115W ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePSMN3R2-40YLDX
No. Parte Newark39AH0951
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.780 |
| 10+ | $1.750 |
| 25+ | $1.560 |
| 50+ | $1.370 |
| 100+ | $1.170 |
| 250+ | $1.050 |
| 500+ | $0.921 |
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Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePSMN3R2-40YLDX
No. Parte Newark39AH0951
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id120A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2900µohm
Diseño de TransistorSOT-669
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.8V
Disipación de Potencia115W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SOT-669
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.8V
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
120A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2900µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
115W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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