Imprimir página
PSMN2R4-30MLDX
MOSFET Transistor, N Channel, 70 A, 30 V, 0.002 ohm, 10 V, 1.7 V RoHS Compliant: Yes
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
Opciones de embalaje
No está disponible
Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePSMN2R4-30MLDX
No. Parte Newark61X9876
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id70A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2000µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSOT-1210
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.7V
Disipación de Potencia91W
No. de Pines5Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza PSMN2R4-30MLDX
1 producto (s) encontrado (s)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2000µohm
Diseño de Transistor
SOT-1210
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.7V
No. de Pines
5Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
70A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
91W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto